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2SA1494
Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor (Complement to type 2SC3858)
■Electrical Characteristics
ICBO
Ratings
Unit
VCB=–200V
–100max
µA
36.4±0.3
24.4±0.2
VEB=–6V
–100max
µA
IC=–50mA
–200min
V
VCEO
–200
V
IEBO
VEBO
–6
V
V(BR)CEO
IC
–17
A
hFE
VCE=–4V, IC=–8A
50min∗
IB
–5
A
VCE(sat)
IC=–10A, IB=–1A
–2.5max
V
PC
200(Tc=25°C)
W
fT
VCE=–12V, IE=1A
20typ
MHz
Tj
150
°C
COB
VCB=–10V, f=1MHz
500typ
pF
–55 to +150
°C
∗hFE Rank Y(50 to 100), P(70 to 140), G(90 to 180)
2-ø3.2±0.1
7
a
b
5.45±0.1
RL
(Ω)
IC
(A)
VBB1
(V)
VBB2
(V)
IB1
(A)
IB2
(A)
ton
(µs)
tstg
(µs)
tf
(µs)
–40
4
–10
–10
5
–1
1
0.6typ
0.9typ
0.2typ
–50mA
–5
I B =–20mA
0
0
–1
–2
–3
–4
–1
–10A
0